氮化镓超级充电器刚上市，为什么成了快充市场的“香饽饽”？

氮化镓拥有极高的稳定性，它的熔点约为1700℃。作为目前是最优秀的半导体材料之一，GaN用作整流管能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生。这些特性让氮化镓应用在电源上有很好的发挥，降低元器件的体积同时能提高效率。氮化镓，第三代半导体材料，作为半导体材料的新晋成员，“氮化镓”这一新兴半导体材料的诞生，犹如平地一声雷，技术革命快速渗入5G、射频以及快充等市场，以其特性优势，横扫其他众多半导体材料。在国内，氮化镓被称为第三代半导体材料。相较于SiC，GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。同时，GaN如果配合SiC衬底，器件可同时适用高功率和高频率。氮化镓领域的投资机会将呈现由点到面，多领域相互促进的态势。